专利法第二十二条第三款规定创造性，是指某发明与现有技术相比，具有突出的实质性特点和显著的进步。而判断发明是否具有突出的实质性特点，就是要判断对于本领域技术人员来说，要求保护的发明相对于现有技术是否显而易见。审查员在评论某发明申请所记载的技术方案的创造性时，通常只引证现有技术的部分内容，而申请人或者代理人在答辩时，通常会专注于审查意见中所引证或提及的部分内容，而忽略或者忽视了对比文件的其他部分内容，容易将审查意见所引证或者提及的部分当作对比文件的整体。

　　这种以点概面，以偏概全的错误做法可以认为受到“光环效应”的影响。光环效应又称晕轮效应，它是一种影响人际知觉的因素，指的是，人们对事物的认知和判断往往只从局部出发，扩散而得出整体印象，也即常常以偏概全。原本属于心理学范畴，笔者认为，其可以形象地表现申请人或者代理人“仅关注审查意见所提出的现有技术的部分内容，将该部分内容当作整个现有技术”的错误方式。

　　作为答复审查意见的申请人或者代理人，要避免受到“光环效应”的影响，考虑现有技术的整体性，既要审视审查意见所提出的内容即该内容给予的启示，也要考虑现有技术中审查意见之外的内容，这两部分内容的启示有可能是不同的，甚至是截然相反的。

　　本文选取了一个案例进行介绍，该案例经过三次意见答复并最终授权，其中，一通答复和二通答复时，并没有过多关注对比文件1中审查意见之外的内容，直到三通答复时，才注意到对比文件1中审查意见之外的内容记载了使得对比文件1与对比文件3不能结合的内容。下面进行具体介绍：

　　涉案专利的原始权利要求：

　　“一种直拉单晶炉硅液面位置控制方法，其特征在于，包括：

　　步骤A：预先存储直拉单晶炉的观测窗口与硅液面的目标距离值；

　　步骤B：测量所述观测窗口与硅液面的实际距离值；

　　步骤C：比较所述目标距离值和所述实际距离值并得到比较值，根据所述比较值控制马达的速度。”

　　审查员的意见：对比文件1作为最接近的现有技术，公开了一种直拉硅单晶炉的熔硅液面位置控制方法，包括从直拉硅单晶炉炉盖上的观察孔通过CCD成像仪的光学系统获取图像数据，该图像数据包括热屏内口的图像和热屏内口在硅液面上的倒影，将上述两呈椭圆形的图像与垂直线的交点的坐标值的数据输入计算机并运算，获得热屏底面与该液面的距离D值，将D值与原设定的D0值作比较，得出差值，即必然要预先存储热屏底面与硅液面的目标距离值，将D-D0差值输入模-数转换器，换算成控制埚升电机升速的电信号，通过控制电路、驱动电路调节埚升速度。

　　本发明与对比文件1的区别在于：对比文件1公开的预先存储的与测量的都为热屏底面与硅液面的距离，然后控制埚升速度；而权利要求1请求保护的为预先存储与测量单晶炉的观测窗口与硅液面的距离，控制马达的速度。

　　然而，无论是测量热屏底面与硅液面的距离还是测量观测窗口与硅液面的距离，由于热屏与观察窗口都是固定不动的，实际都是指定一固定参照物，目的都是为了得到硅液面的位置变化情况，因此本领域技术人员预先存储与测量单晶炉的观测窗口与硅液面的距离代替热屏底面与硅液面的距离仅仅属于相同功能的已知手段的等效替代，这种代替其效果实质上相同，并且这种代替对所属技术领域中的技术人员而言不存在技术上的障碍。而坩埚的升降通常采用马达驱动，本领域技术人员为了控制坩埚的上升速度，采用控制马达速度的方法属于一种惯用技术手段。

　　针对审查员的上述意见，代理人实际上基本认同，而为了避免一通直接被驳回，将权利要求2的技术特征提到权利要求1，具体论述过程为：

　　修改权利要求1为：

　　一种直拉单晶炉硅液面位置控制方法，其特征在于，包括：

　　步骤A：预先存储直拉单晶炉的观测窗口与硅液面的目标距离值；

　　步骤B：测量所述观测窗口与硅液面的实际距离值；

　　步骤C：比较所述目标距离值和所述实际距离值并得到比较值，根据所述比较值控制马达的速度，所述马达包括低速马达和高速马达。

　　修改后的权利要求1与对比文件1的区别技术特征为：对比文件1公开的预先存储的与测量的都为热屏底面与硅液面的距离，然后控制埚升速度，而修改后的权利要求1请求保护的为预先存储与测量单晶炉的观测窗口与硅液面的距离，控制马达的速度；对比文件1中的热屏底面与该液面的距离D值通过运算得到，而修改后的权利要求1中直接测量；所述马达包括低速马达和高速马达。

　　修改后的权利要求1相对于对比文件1实际解决的技术问题是：快速准确地控制坩埚的跟随比。为此，修改后的权利要求1中通过直接获知观测窗口与硅液面的实际距离进而控制马达的速度，与对比文件1通过CCD成像系统运算得到热屏底面与该液面的距离D值相比，由于无需运算所以测量速度更快，使得设备在更短的时间内改变马达的速度，从而快速准确地控制坩埚的跟随比。

　　由于对比文件1的发明动机是通过采用CCD成像系统来获知热屏底面与该液面的距离D值，获知的是热屏底面整体上与硅液面距离，而修改后的权利要求1中获知的观测窗口距离待测点所反映的观测窗口与硅液面的距离，也就是说对比文件1与修改后的权利要求1相比其获得实际距离值所采用的原理存在本质上的差别。

　　因此，本领域技术人员由对比文件1得到的技术启示是采用成像系统获知热屏底面距离液面的距离值，当本领域技术人员面临提高控制坩埚跟随比精度的技术问题时，得到的技术启示是改变成像系统，例如将CCD成像系统更换为更为先进的成像系统从而提高控制坩埚跟随比精度，或者在不改变CCD成像系统的基本原理下，改变CCD成像系统中运算方法来提高运算速度进而提高坩埚的跟随比精度。

　　而本领域技术人员由成像系统获知热屏底面距离液面距离替换为直接获知观测窗口距离硅液面的距离，是从一种原理跳跃到另外一种原理，本领域技术人员至少需要通过创造性劳动克服上述描述中的技术导向才能得到修改后的权利要求1的技术启示。

　　此外，修改后的权利要求1中除了在原理上提高了坩埚跟随比精度外，还在执行机构中进一步提高了坩埚跟随比精度，通过设置低速马达和高速马达进行切换实现。而对比文件1中并没有公开这一点，且本领域技术人员为了获得坩埚不同的上升速度通常采用的技术手段是采用变速马达进行控制，而不是必定采用设置低速马达和高速马达的形式进行控制，因此，由对比文件1结合惯用技术手段并不能肯定得到修改后的权利要求1关于马达包括低速马达和高速马达的技术启示。

　　针对一通的答复内容审查员给了一次答复的机会。并指出了，无论是测量热屏底面与硅液面的距离还是测量观测窗口与硅液面的距离，由于热屏与观察窗口都是固定不动的，实际都是指定一固定参照物，目的都是为了得到硅液面的位置变化情况，因此本领域技术人员预先存储与测量单晶炉的观测窗口与硅液面的距离代替热屏底面与硅液面的距离仅仅属于相同功能的已知手段的等效替代，这种代替其效果实质上相同，并且这种代替对所属技术领域中的技术人员而言不存在技术上的障碍。而坩埚的升降通常采用马达驱动，本领域技术人员为了控制坩埚的上升速度，采用控制马达速度的方法属于一种惯用技术手段。而为了获得坩埚不同的上升速度，本领域技术人员设置马达包括低速马达和高速马达也属于一种惯用技术手段。

　　二通答复时，代理人找到了涉案专利与对比文件1最重要的区别点在于涉案专利采用激光测距，而对比文件1采用CCD成像系统测距，并针对于此进行论述：

　　修改权利要求1为：

　　一种直拉单晶炉硅液面位置控制方法，其特征在于，包括：

　　步骤A：预先存储直拉单晶炉的观测窗口与硅液面的目标距离值；

　　步骤B：利用激光测距仪直接测量所述观测窗口与硅液面的实际距离值；

　　步骤C：比较所述目标距离值和所述实际距离值并得到比较值，根据所述比较值控制马达的速度，所述马达包括低速马达和高速马达。

　　修改后的权利要求1相对于对比文件1实际解决的技术问题是：快速准确地控制坩埚的跟随比。为此，修改后的权利要求1中利用激光测距仪直接获知观测窗口与硅液面的实际距离，进而控制马达的速度，相对于对比文件1通过CCD成像系统运算得到热屏底面与该液面的距离D值相比由于无需运算所以测量速度更快，使得设备在更短的时间内改变马达的速度，从而快速准确地控制坩埚的跟随比。并通过比较实际距离与目标距离切换低速马达和高速马达的运行状态，改变坩埚的跟随比。

　　申请人认为由对比文件1并不能得到修改后的权利要求1中的技术启示，对比文件1的发明原理是采用CCD成像系统来获知热屏底面与该液面的距离D值，获知的是热屏底面整体上与硅液面距离，而修改后的权利要求1中利用激光测距仪直接获知的观测窗口距离待测点所反映的观测窗口与硅液面的距离，也就是说对比文件1与修改后的权利要求1相比其获得实际距离值所采用的原理存在本质上的差别。

　　因此，本领域技术人员由对比文件1得到的技术启示是采用成像系统获知热屏底面距离液面的距离值，当本领域技术人员面临提高控制坩埚跟随比精度的技术问题时，得到的启示是改变成像系统，例如将CCD成像系统更换为更为先进的成像系统从而提高控制坩埚跟随比精度，或者在不改变CCD成像系统的基本原理下，改变CCD成像系统中运算方法来提高运算速度进而提高坩埚的跟随比精度。

　　而本领域技术人员由成像系统获知热屏底面距离液面距离替换为直接获知观测窗口距离硅液面的距离，是从一种原理跳跃到另外一种原理，本领域技术人员至少需要通过创造性劳动克服上述描述中的技术导向才能得到修改后的权利要求1的技术启示。

　　针对上述意见，审查员又检索了对比文件3，其中，对比文件3已公开了利用激光测距仪直接测量液面高度的技术方案，审查员认为，解决相同问题的技术方案相互转用属于本领域的惯用手段，因此在对比文件3的基础上，当本领域技术人员遇到如何才能使得测量速度更快这个技术问题时，有动机利用激光测距仪直接测量所需要的距离值，从而解决其技术问题。

　　三通答复时，经过之前两次答复后基本上也找不到点继续进行答辩，不得已代理人回归到对比文件1整篇文件中，发现对比文件1中明确记载了关于激光测距的一些内容，且对比文件1就是为了避免采用激光测距才发明了将CCD成像系统测距应用到硅液面的测量上的技术方案，具体论述为：

　　在没有继续修改权利要求1的前提下，申请人不同意审查员的观点，并认为：由对比文件1和对比文件3不能得到上述区别技术特征的技术启示。

　　请参照对比文件1说明书第2页第一段记载的内容：

　　“以往的设备在控制熔体的位置时，采取以下几种方式：1）在晶体等直径生长期间，采用埚升速随晶升变化的办法，俗称“给定埚随比”。这种方法的缺点是精度特别差，因为在生长阶段的实际晶体直径是不能准确测量的，故这种方法不能满足现代材料制造的要求。2）另一种被广泛采用的方法是用激光控制熔体的位置。这种装置由一个激光发生器和一个激光接受器组成，它两个形成一夹角，在熔硅的表面相交，通过测量激光光强的变化来控制熔体的位置。它有以下缺点，大大地限制了它的使用，缺点1是它的价格昂贵；缺点2是该系统的校准过程太复杂；缺点3是它对热场设计的要求高，因为热场部件不能挡住激光的光路，否则系统将不能工作。因此，有必要提供一种新的直拉硅单晶炉的熔硅液面位置的控制方法。”

　　由于，对比文件1中公开了利用激光测量存在上述缺点，且为避开上述缺点才抛弃激光测量技术采用CCD成像系统进行测量。可以毫无疑义地推导出对比文件1的发明动机是避开上述记载的技术手段（激光测量技术）另辟途径发明一种全新的测量方式。由上述推论可知，对比文件1不能与对比文件3结合，本发明的权利要求1具有非显而易见性，具有突出的实质性特点，因此，本发明具备创造性，符合专利法第二十二条第三款的规定。

　　以上案例中不难发现代理人在一通和二通的答复过程中，就是从现有技术的部分内容出发进行答辩，从而导致无法找到有利的答复点。因此，我们在创造性答复过程中要提起注意，现有技术所给予的启示应该是整体的启示，不能以偏概全，以点概面，即使某发明申请的某些特征与现有技术中部分内容作用相同，若现有技术中其他部分内容明确指示或者暗示不能结合，则可以认为整体上不存在技术启示。代理人应该认清这点，避免受到光环效应的影响。

　　上述对创造性答复中提供了一种可能的答复思路进行了介绍，其中难免存在不妥之处，还请同行斧正。